報(bào)告題目：SiC功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展

　　報(bào)告專家：李彥君

　　時(shí)間：5月22日（周四）13:30

　　地點(diǎn)：工學(xué)院25-512

　　報(bào)告人簡(jiǎn)介：

　　李彥君，男，2018年于北京交通大學(xué)獲電氣工程專業(yè)工學(xué)學(xué)士學(xué)位，2024年于浙江大學(xué)獲電氣工程專業(yè)工學(xué)博士學(xué)位，2024年通過(guò)“百人計(jì)劃”加入浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心擔(dān)任研究員。主要研究方向?yàn)閷捊麕iC和GaN電力電子器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化、微納制造和可靠性研究，作為主要成員參與了國(guó)家自然科學(xué)基金和作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)了浙江省自然科學(xué)青年基金等多個(gè)科研項(xiàng)目。研究成果在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters、AIP Applied Physics Letters、International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs等國(guó)際頂級(jí)期刊與會(huì)議上發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文。